चेंगक्सिन मेमोरी टेक्नोलॉजीज (CXMT) ने अपने पांचवीं पीढ़ी के DRAM प्लेटफॉर्म, जिसे G5 प्लेटफॉर्म नाम दिया गया है, के श्रृंखला उत्पादन की शुरुआत की घोषणा की। यह महत्वपूर्ण चरण हेफेई में विश्व विनिर्माण सम्मेलन 2026 में प्रस्तुत किया गया था, जहां इस प्लेटफॉर्म पर विकसित नई LPDDR5X श्रृंखला का भी प्रदर्शन किया गया था।
हेफेई स्थित DRAM निर्माता G5 को एक ऐसी तकनीक के रूप में स्थापित करता है जो प्रमुख विनिर्माण संकेतकों पर बड़े पैमाने पर जारी किए जा रहे सबसे उन्नत मेमोरी प्लेटफॉर्म से पिछड़ने की खाई को कम करती है। इसके अलावा, G5 स्मार्टफोन और पोर्टेबल उपकरणों के निर्माताओं के लिए वैश्विक इलेक्ट्रॉनिक्स आपूर्ति श्रृंखलाओं के लिए उच्च घनत्व वाली मोबाइल मेमोरी का एक नया विकल्प प्रदान करता है।
प्रक्रिया के दृष्टिकोण से, CXMT ने बताया कि सेल्फ-अलाइनिंग क्वाड्रुपलेक्स एचिंग (SAQP) विधि का उपयोग करके मेमोरी ऐरे के लिए 11.95 नैनोमीटर की सक्रिय क्षेत्र प्राप्त की गई है। कंपनी ने यह भी उल्लेख किया कि प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के पुन: डिजाइन और नई सामग्रियों के एकीकरण के बाद, कैपेसिटर का पहलू अनुपात 45:1 तक पहुंच गया है, और DRAM के लिए अनुकूलित HKMG फ़्लो का उपयोग करके मुख्य सेल ऐरे की ऊंचाई 6,762 nm तक कम हो गई है।
सहायक विकासों में एक डिजिटल ट्विन लाइन शामिल है जो डिजाइन, नमूना रिलीज, उत्पादन और उपज रखरखाव को कवर करती है, साथ ही इंटरफ़ेस इंजीनियरिंग, सैडल रिज संरचनाओं और कम डाइइलेक्ट्रिक स्थिरांक वाले बिट लाइनों में प्रगति भी शामिल है।
व्यावसायिक लाभ क्रिस्टल घनत्व है। CXMT के चौथे पीढ़ी के प्लेटफॉर्म की तुलना में, G5 प्लेट पर क्रिस्टल का सकल घनत्व 8 Gbps के आधार स्तर पर पिछले प्लेटफॉर्म के आंकड़ों से कम से कम 50% अधिक है, और यह दोष जांच से पहले मापा गया था, जो लागत और ऊर्जा खपत के मामले में बेहतर प्रतिस्पर्धात्मकता के दावों की पुष्टि करता है।
G5 प्लेटफॉर्म पर 24 Gbps प्रति क्रिस्टल क्षमता वाले दो LPDDR5X उत्पाद पेश किए गए हैं: यह स्मार्टफोन और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए 496-बॉल और 245-बॉल पैकेज में पेश किए जाने वाले समान SKU की तुलना में 50% की क्षमता वृद्धि है, और वे पहले से ही श्रृंखला उत्पादन में उपलब्ध हैं।
उपाध्यक्ष लो शियाओदोंग ने कहा कि उत्पादन क्षमता अब उद्योग में 'सबसे उन्नत बड़े पैमाने पर उत्पादन नोड्स' के बराबर है। रॉयटर्स द्वारा उल्लेख किया गया है कि प्लेटफॉर्म को लागत और ऊर्जा की खपत को कम करते हुए अधिक शक्तिशाली मेमोरी बनाने के लिए डिज़ाइन किया गया है। इस कहानी का मुख्य केंद्र CXMT की G5 DRAM और 24 Gbps LPDDR5X की उपलब्धि है, जो CXMT की NAND R&D योजनाओं या सफल HBM की अफवाहों के बारे में पिछले बयानों से अलग है, और यह स्टैक्ड मेमोरी की अटकलों के बजाय SAQP के स्केलिंग, प्लेट पर क्रिस्टल बढ़ाने और मोबाइल मेमोरी के व्यावसायीकरण पर केंद्रित है।
