कोरियाई सेमीकंडक्टर उद्योग संघ ने HBM के लिए चीन और कोरिया के बीच तकनीकी अंतर का अनुमान लगभग तीन साल, DRAM के लिए दो साल और NAND फ्लैश मेमोरी के लिए एक साल लगाया है, जो पहले उद्योग टिप्पणियों में देखे गए कई वर्षों के अंतर से कम है। हालांकि, यह विश्लेषण सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और SK हाइनिक्स जैसे निर्माताओं की तुलना में उत्पादन प्रक्रियाओं की परिपक्वता पर केंद्रित है, न कि बाजार हिस्सेदारी या वित्तपोषण में प्रतिस्पर्धा पर।
DRAM सेगमेंट में, चांगक्सिन मेमोरी टेक्नोलॉजीज (CXMT) DDR5 मानक से LPDDR5X के बड़े पैमाने पर उत्पादन में बदल गई है और LPDDR6 जारी करना शुरू कर दिया है, जिसमें श्याओमी को स्मार्टफोन के पहले उपभोक्ताओं में से एक के रूप में नामित किया गया है। मोबाइल DRAM की यह विकास दर इस बात का सबसे स्पष्ट अल्पकालिक संकेत है कि CXMT की मुख्य प्रक्रिया पारंपरिक उत्पादों के संबंध में स्थापित प्रतिस्पर्धियों से पिछड़ने की दर को कम कर रही है, भले ही उच्च प्रदर्शन वाली मेमोरी का उत्पादन संरचनात्मक रूप से अधिक जटिल बना हुआ है।
HBM के उत्पादन में सबसे बड़ी चुनौतियां बनी हुई हैं, जहां अच्छे चिप्स की उपज दरें कम बनी हुई हैं। DigiTimes की रिपोर्टों के अनुसार, CXMT की HBM3 की प्रारंभिक उपज लगभग 25% तक पहुंच गई थी। विफलताओं के मुख्य कारणों में थ्रू-सिलिकॉन वाया (TSV) का निर्माण, बहुस्तरीय स्टैकिंग और इंटरकनेक्शन प्रक्रियाएं शामिल हैं। उद्योग नोट्स अक्सर प्रति स्टैक हजारों TSV कटआउट और शुरुआती बैचों पर अंतिम परीक्षण में कमजोर पासिंग का उल्लेख करते हैं। SemiAnalysis जैसी विश्लेषण आम तौर पर इस समग्र संख्या को अग्रिम सिरे पर कमजोर छँटाई प्रक्रिया और पिछले सिरे पर मजबूत असेंबली को विभाजित करते हैं, इस बात पर जोर देते हुए कि HBM केवल 'DRAM प्लस स्टैक' नहीं है; ऊर्ध्वाधर इंटरकनेक्शन और बॉन्डिंग प्रक्रिया आठ परत या उससे अधिक ऊंचाई वाले घटकों के लिए मुख्य सीखने की वक्र को निर्धारित करती है।
स्टैकिंग प्रक्रिया को EUV लिथोग्राफी पर अत्यधिक निर्भरता के बिना सरल बनाने के लिए, CXMT यांग्त्ज़ी मेमोरी टेक्नोलॉजीज (YMTC) से कॉपर-टू-कॉपर हाइब्रिड कनेक्शन XStacking के अनुभव का लाभ उठाते हुए DRAM स्टैक को लागू करने की योजना बना रहा है। इसका तात्पर्य CXMT के G4 नोड (लगभग 1z क्लास) पर DRAM क्रिस्टल के बीच माइक्रोबोंड्स पर पूरी तरह से भरोसा करने के बजाय सीधे Cu–Cu कनेक्शन का उपयोग करना है। NAND लेयर्स बनाने में YMTC का अनुभव एक संदर्भ प्रक्रिया के रूप में कार्य करता है; सैमसंग और SK हाइनिक्स का उल्लेख केवल अंतराल को मापने के लिए तकनीकी एनालॉग के रूप में किया जाता है। यह देखना अत्यंत महत्वपूर्ण होगा कि क्या हाइब्रिड कनेक्शन वाले DRAM स्टैक HBM की उपज दरों को मध्य बीस प्रतिशत की सीमा से बाहर निकाल सकते हैं, जो किसी अन्य स्रोत में बताई गई आय की किसी भी कहानी से अलग एक विशिष्ट प्रक्रिया चेकपॉइंट होगा।