रक्षा मंत्रालय ने अपने नवीनतम वार्षिक रिपोर्ट 2025-26 में रक्षा अनुसंधान और विकास संगठन (DRDO) द्वारा गैलियम नाइट्राइड (GaN MMIC) पर आधारित मोनोलिथिक माइक्रोवेव इंटीग्रेटेड सर्किट की स्वदेशी तकनीक के सफल प्रदर्शन और कार्यान्वयन की सूचना दी।
यह तकनीक उच्च आवृत्ति वाली रक्षा प्रणालियों के लिए डिज़ाइन की गई है जो अगली पीढ़ी के रडार और इलेक्ट्रॉनिक युद्ध प्रणालियों के संचालन को सुनिश्चित कर सकती है।
मंत्रालय की रिपोर्ट के अनुसार, GaN पर आधारित एक स्वदेशी चिप जिसका आकार 3.5 x 3 मिमी है, 30 वाट तक की शक्ति प्रदान करने और सिलिकॉन की गति से 300 गुना अधिक गति से काम करने में सक्षम है। एक्स-बैंड तक उपयोग के लिए स्वदेशी GaN MMIC तकनीक का सफलतापूर्वक प्रदर्शन और कार्यान्वयन किया गया।