रूसी वैज्ञानिकों ने छिद्रपूर्ण सिलिकॉन सबस्ट्रेट का उपयोग करके गैलियम नाइट्राइड के मुख्य रूप से ऊर्ध्वाधर नैनोनीड्स उगाने की एक विधि विकसित की है। मानक सिलिकॉन का उपयोग करने पर ये नैनोनीड्स आमतौर पर सतह के लंबवत नहीं बनते हैं, लेकिन छिद्रों की विशिष्ट ज्यामिति के कारण उन्हें सबस्ट्रेट के बिल्कुल लंबवत बढ़ने में मदद मिली।
सेंट पीटर्सबर्ग स्टेट यूनिवर्सिटी की प्रेस सेवा द्वारा दी गई जानकारी के अनुसार, प्राप्त नैनोनीड्स उच्च संरचनात्मक गुणवत्ता प्रदर्शित करते हैं। विशेष रूप से, उनकी फोटोल्यूमिनेसेंस अपेक्षा से तीन गुना से अधिक तीव्र पाई गई।
इस वैज्ञानिक कार्य के परिणाम को आधिकारिक तौर पर 'मटेरियल्स साइंस इन सेमीकंडक्टर प्रोसेसिंग' नामक एक सहकर्मी-समीक्षित प्रकाशन में प्रकाशित किया गया था।