Suzhou Zhicai Technology ने सफलतापूर्वक 6 इंच का उच्च शुद्धता वाला, उच्च घनत्व वाला मैग्नीशियम ऑक्साइड स्पटरिंग टारगेट विकसित किया है, जो MRAM चुंबकीय टनल ट्रांजिशन उत्पादन की आवश्यकताओं को पूरा करता है। इस टारगेट में 4N शुद्धता और 99.8 प्रतिशत से अधिक घनत्व है, और दाने की एकरूपता अंतरराष्ट्रीय अग्रणी स्तर तक पहुंचती है, जो मुख्य जापानी प्रतिस्पर्धियों से आगे निकल जाती है, जो आमतौर पर 99.7 प्रतिशत से थोड़ा अधिक घनत्व की रिपोर्ट करते हैं।
यह सफलता MRAM सामग्री आपूर्ति श्रृंखला के अंतिम खंड को बंद करती है, जिसे पहले विदेशी कंपनियों द्वारा नियंत्रित किया जाता था, क्योंकि अन्य सभी धातु चुंबकीय टारगेट देश के भीतर ही आपूर्ति किए जाते थे।
MRAM, या मैग्नेटोरेसिस्टिव रैम, इलेक्ट्रॉन स्पिन की डिग्री ऑफ फ्रीडम का उपयोग DRAM के करीब की गति को NAND-श्रेणी की गैर-वाष्पशील प्रकृति और NAND की तुलना में लगभग हज़ार गुना कम रीड विलंबता के साथ संयोजित करने के लिए करता है। अपनी संरचना के कारण, यह तकनीक विकिरण प्रतिरोधी है, जिससे एकल घटना त्रुटि सुधार के लिए अलग से सुधार की आवश्यकता समाप्त हो जाती है, जिससे यह अंतरिक्ष यान, सैन्य उपग्रहों और मिसाइल मार्गदर्शन प्रणालियों के लिए डेटा भंडारण प्रणालियों में प्रमुख बन जाती है।
जैसे-जैसे तार्किक नोड्स 28 नैनोमीटर से नीचे कम होते जाते हैं, एम्बेडेड MRAM अगली पीढ़ी के ऑटोमोटिव माइक्रो कंट्रोलर और पेरिफेरल AI कंट्रोलर के लिए गैर-वाष्पशील मेमोरी के प्रमुख विकल्प के रूप में एम्बेडेड फ्लैश मेमोरी को विस्थापित करना शुरू कर देता है।
निचला स्तर बाजार सिंक्रोनस रूप से तेज हो रहा है। सैमसंग MRAM को DRAM और हाई-स्पीड मेमोरी के साथ एक रणनीतिक तत्व के रूप में रखता है, जबकि टीएसएमसी 2027 तक 5-नैनोमीटर प्रोसेस तकनीक के साथ MRAM के उत्पादन के लिए तैयार होने का लक्ष्य रखती है। मार्च 2025 में, NXP ने एम्बेडेड MRAM के साथ ऑटोमोटिव माइक्रो कंट्रोलर FinFET S32K5 जारी किया, और Everspin ने अपने MRAM UNISYST को 128 मेगाबिट से 2 गीगाबिट घनत्व और 400 मेगाबाइट प्रति सेकंड रीड थ्रूपुट के साथ पेश किया।
Fortune Business Insights के अनुमानों के अनुसार, 2025 में वैश्विक MRAM चिप बाजार का मूल्य 4.49 बिलियन डॉलर था और अनुमान है कि चक्रवृद्धि वार्षिक वृद्धि दर (CAGR) 38.97 प्रतिशत पर 2034 तक यह 86.78 बिलियन डॉलर तक पहुंच जाएगा।
चीन की MRAM पारिस्थितिकी तंत्र बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए महत्वपूर्ण बिंदु पर पहुंच गया है। GigaDevice ऑटोमोटिव और औद्योगिक ग्राहकों के लिए प्रमाणित STT-MRAM नमूने प्रदान करता है। Zhizhen Storage ने छोटे ऊंचाई वाले ड्रोन के उड़ान नियंत्रण प्रणालियों में SOT-MRAM चिप्स को लागू किया है। किंदाओ में 8 इंच की विशेष MRAM उत्पादन लाइन चल रही है, और Hanxu Technology ने AI के लिए 8-नैनोमीटर एम्बेडेड MRAM चिप के विकास को पूरा कर लिया है। Suzhou Zhicai के MgO टारगेट के प्रमाणीकरण के साथ, चीन की पायलट MRAM लाइनों को ऊपरी स्तर पर पूरी तरह से घरेलू कच्चे माल की आपूर्ति मिली है, जिससे पहले चीनी संस्थानों पर पड़ने वाले दोहरे प्रतिबंध दबाव का अंत हो गया है।
Suzhou Zhicai की स्थापना चीन की राष्ट्रीय प्रतिभा आकर्षण कार्यक्रम के तहत लौटने वाले कर्मचारियों और ऑक्सीडाइज्ड टारगेट के प्रमुख शोधकर्ताओं के सहयोग से की गई थी। कंपनी पहले से ही एकमात्र घरेलू आपूर्तिकर्ता है और उच्च तापमान अतिचालक टारगेट ReBCO के लिए पूर्ण समाधान रखने वाली दुनिया की तीन कंपनियों में से एक है, जो छोटी मात्रा में निर्यात करती है। MRAM-MgO टारगेट ऑक्सीडाइज्ड टारगेट के क्षेत्र में कंपनी की दूसरी बड़ी सफलता है और उच्च तापमान अतिचालकों और सेमीकंडक्टर चिप्स की प्रमुख सामग्रियों को कवर करने वाली दोहरी रणनीति की पुष्टि करता है।


