सैमसंग ने बुधवार (5) को आयोजित 'फ्यूचर ऑफ मेमोरी एंड स्टोरेज 2026' सम्मेलन के दौरान आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस के क्षेत्र के लिए विशेष रूप से विकसित नई पीढ़ी की 3डी मेमोरी की घोषणा की। zHBM नामक यह नई वास्तुकला डेटा प्रोसेसिंग को काफी तेज करने का वादा करती है और एक ही चिप में 400 से अधिक स्टोरेज सेल परतों को स्टैक करके एक ऐतिहासिक उपलब्धि हासिल की है।
पारंपरिक रूप से, एआई सिस्टम में मेमोरी मॉड्यूल प्रोसेसर के बगल में रखे जाते थे। कंपनी द्वारा प्रस्तुत नवाचार इस भौगोलिक विन्यास को बदलकर मेमोरी को सीधे प्रोसेसिंग चिप्स के ऊपर लंबवत एकीकृत करता है।
यह भौतिक निकटता बहुत अधिक कुशल डेटा ट्रांसमिशन की ओर ले जाती है। कंपनी के अनुसार, यह आठ गुना तक तेज फ़ाइल ट्रांसफर गति प्रदान करता है, साथ ही ऊर्जा दक्षता में तीन गुना वृद्धि करता है।
बड़े भाषा मॉडल (LLMs) के प्रशिक्षण के लिए अरबों मापदंडों को संसाधित करने की आवश्यकता होती है। इन सर्वरों में मुख्य बाधा केवल सीपीयू या जीपीयू की सकल प्रसंस्करण क्षमता में नहीं है, बल्कि इस बात में है कि मेमोरी आवश्यक जानकारी कितनी तेजी से प्रदान कर सकती है। धीमी मेमोरी प्रोसेसर को अपने कार्यों को जारी रखने के लिए डेटा के आने का इंतजार करने के लिए मजबूर करती है।
ट्रांसफर दर बढ़ाकर, सैमसंग इस बाधा के कुछ हिस्से को कम करता है। यह नवीनता OpenAI, Microsoft और Google जैसे दिग्गजों की जरूरतों को पूरा करती है, जिससे उनके डेटा सेंटर अधिक तेजी से और परिणामस्वरूप बड़े पैमाने पर कम परिचालन लागत के साथ काम कर पाते हैं।
यह लॉन्च निर्माता की प्रतिस्पर्धी एआई पारिस्थितिकी तंत्र के लिए प्रमुख आपूर्तिकर्ता के रूप में स्थिति को भी मजबूत करता है। केवल पिछली तिमाही में, मेमोरी चिप निर्माण के लिए जिम्मेदार डिवीजन ने अपनी बिक्री में 56% की वृद्धि दर्ज की।
सर्वर समाधानों के अलावा, कंपनी ने LPDDR5X-PIM मेमोरी पेश की, जो उद्योग में प्रोसेसिंग-इन-मेमोरी (PIM) तकनीक को शामिल करने वाली पहली है। यह कार्यक्षमता मेमोरी चिप को स्वयं डेटा गणना निष्पादित करने की अनुमति देती है, जिससे डिवाइस के प्रोसेसर के साथ लगातार सूचना प्रवाह की आवश्यकता समाप्त हो जाती है और ऊर्जा की बचत होती है, जो मोबाइल उपकरणों के लिए महत्वपूर्ण है।
इस कार्यक्रम में प्रदर्शित अन्य तकनीकी प्रगति भंडारण पर केंद्रित नई V10 BV-NAND मेमोरी मानक थी, जिसने घनत्व में 58% की वृद्धि दिखाई। कंपनी ने एक ही घटक में 400 से अधिक सेल परतों को स्टैक करने में कामयाबी हासिल की।
इन रिकॉर्डों की आशाजनक क्षमता के बावजूद, इस तकनीक का सबसे बड़ा अनुप्रयोग एआई बाजार में होगा। वर्तमान में, सैमसंग और इसकी प्रतियोगी SK हाइनिक्स वैश्विक मेमोरी उत्पादन पर हावी हैं और पहले से ही औद्योगिक क्षमता की सीमाओं के करीब काम कर रहे हैं। लाभदायक एआई चिप्स के उत्पादन को प्राथमिकता देने के कारण, पारंपरिक मेमोरी विनिर्माण को द्वितीयक स्थान पर धकेल दिया गया है।
असेंबली लाइनों पर बुनियादी घटकों की कमी एक श्रृंखला प्रतिक्रिया को ट्रिगर करती है। स्टॉक में मेमोरी की कम उपलब्धता के साथ, उत्पादन लागत बढ़ जाती है। अंतिम प्रभाव उपभोक्ता पर पड़ता है, जिसके परिणामस्वरूप मोबाइल फोन, लैपटॉप और कंसोल जैसे इलेक्ट्रॉनिक्स महंगे हो जाते हैं।
सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने मंगलवार (04) को फ्यूचर ऑफ मेमोरी एंड स्टोरेज सम्मेलन के दौरान आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस सिस्टम के लिए लक्षित नई मेमोरी टेक्नोलॉजी लाइन का अनावरण किया। यह कार्यक्रम कैलिफ़ोर्निया के सांता क्लारा में आयोजित किया गया था।
दक्षिण कोरियाई कंपनी ने V10 बॉन्डिंग V-NAND, जिसे BV-NAND के नाम से भी जाना जाता है, का प्रोटोटाइप प्रदर्शित किया। इस समाधान को बड़े डेटा वॉल्यूम की मांग करने वाले एआई अनुप्रयोगों की भंडारण क्षमता बढ़ाने और प्रदर्शन को बेहतर बनाने के उद्देश्य से विकसित किया गया था।
निर्माता द्वारा प्रस्तुत नई वास्तुकला में 400 से अधिक परतें एकीकृत हैं और वे एक वेफर इंटरकनेक्शन तकनीक का उपयोग करती हैं जो मेमोरी घनत्व को बढ़ाने, थर्मल प्रतिबंधों को कम करने और ऊर्जा की खपत को अनुकूलित करने की अनुमति देती है।
आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस सिस्टम के बढ़ते विकास के साथ, विशेष रूप से उपयोगकर्ताओं के लिए प्रतिक्रिया उत्पन्न करने वाले सिस्टम के साथ, उच्च क्षमता वाली मेमोरी की आवश्यकता काफी बढ़ गई है। इस संदर्भ में, सैमसंग भारी वर्कलोड के लिए विशिष्ट समाधानों के विकास के माध्यम से सेमीकंडक्टर बाजार में अपनी स्थिति मजबूत करना चाहता है।
कंपनी के अनुसार, BV-NAND तकनीक पिछली पीढ़ी, V9 NAND की तुलना में एक प्रगति का प्रतिनिधित्व करती है, जिसमें मेमोरी घनत्व में लगभग 58% की वृद्धि हुई है। इसके अलावा, पढ़ने, लिखने और इनपुट/आउटपुट संचालन की कार्यक्षमताओं में सुधार की सूचना दी गई है, जो अल्ट्रा-फास्ट स्टोरेज पर निर्भर अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण पहलू हैं।
नए प्रोटोटाइप के अतिरिक्त, सैमसंग ने zHBM और zNAND-O नामक आर्किटेक्चर की अवधारणाएं दिखाईं, जो त्रि-आयामी मेमोरी के विकास के लिए कॉर्पोरेट रणनीति का हिस्सा हैं। इस प्रस्ताव में कम जगह में अधिक जानकारी केंद्रित करने के लिए मेमोरी कोशिकाओं का ऊर्ध्वाधर स्टैकिंग शामिल है।
निर्माता ने समझाया कि zHBM तकनीक पारंपरिक हाई बैंडविड्थ मेमोरी से अलग है क्योंकि यह मेमोरी घटकों को आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस एक्सेलेरेटर के ऊपर लंबवत रूप से रखता है। इसके परिणामस्वरूप डेटा के तय किए गए पथ में कमी और ऊर्जा दक्षता में वृद्धि होती है।
सैमसंग ने यह भी घोषणा की कि इसकी वेफर बॉन्डिंग तकनीक पारंपरिक HBM5 आधारित समाधानों द्वारा प्राप्त घनत्व से दस गुना अधिक मेमोरी घनत्व संभव बना सकती है। कंपनी ने आगे बताया कि इस पद्धति में ऊर्जा दक्षता को तीन गुना करने और थर्मल प्रतिरोध को आधे से अधिक कम करने की क्षमता है।
यह घोषणा मेमोरी चिप्स की मांग के भविष्य पर चर्चा के दौर में हो रही है। जबकि कुछ निवेशक चीन में स्मार्टफोन की खपत में संभावित गिरावट के प्रभावों के बारे में चिंता व्यक्त करते हैं, उद्योग विश्लेषक संकेत देते हैं कि आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस की प्रगति मांग को उच्च स्तर पर बनाए रखती है।
कंपनी ने हाल ही में खुलासा किया कि ग्राहकों के साथ दीर्घकालिक अनुबंध उसकी भविष्य की मेमोरी बिक्री का 60% से 70% तक हो सकते हैं। सिटी की रिपोर्टों ने भी इंगित किया है कि अन्य बाजार खंडों में अनिश्चितताओं के बावजूद, DRAM और NAND की आपूर्ति श्रृंखलाओं का स्टॉक ऐतिहासिक औसत से नीचे बना हुआ है।
