Компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) объявила о начале серийного производства своей DRAM-платформы пятого поколения, получившей название G5 Platform. Этот важный этап был представлен на Всемирной производственной конференции 2026 года в Хэфэе, где также была продемонстрирована новая линейка LPDDR5X, разработанная на этой платформе.
Производитель DRAM из Хэфэя позиционирует G5 как технологию, которая сокращает отставание от самых передовых платформ памяти, выпускаемых в больших объемах, по ключевым производственным показателям. Кроме того, G5 предлагает производителям смартфонов и портативной техники новый вариант высокоплотной мобильной памяти для глобальных цепочек поставок электроники.
С точки зрения процесса, CXMT сообщает об активной площади полушага в 11,95 нанометра для массивов памяти, достигнутой с использованием метода самовыравнивающегося квадруплексного травления (SAQP). Компания также отметила, что после перепроектирования технологического процесса и интеграции новых материалов, соотношение сторон конденсатора достигло 45:1, а высота основного ячейкового массива уменьшилась до 6 762 нм благодаря использованию потока HKMG, оптимизированного для DRAM.
Поддерживающие разработки включают линию цифрового двойника, охватывающую проектирование, выпуск образцов, производство и поддержание выхода годных, а также достижения в области интерфейсной инженерии, структур седловидных гребней и битовых линий с низким коэффициентом диэлектрической проницаемости.
Коммерческим преимуществом является плотность кристаллов. По сравнению с четвертым поколением платформы CXMT, валовая плотность кристаллов на пластине G5 превышает показатели предыдущей платформы как минимум на 50% при базовом уровне 8 Гбит, и это было измерено до проведения проверок на дефекты, что подтверждает заявления о лучшей конкурентоспособности по стоимости и энергопотреблению.
На платформе G5 дебютировали два продукта LPDDR5X емкостью 24 Гбит на кристалл: это увеличение емкости на 50% по сравнению с аналогичными SKU, которые предлагаются в корпусах 496-ball и 245-ball для телефонов и потребительской электроники, и они уже поставляются в серийном производстве.
Вице-президент Ло Сяодун заявил, что производственная способность теперь «сопоставима с самыми передовыми узлами массового производства» в отрасли. Как отметило Reuters, платформа разработана для создания более мощной памяти при снижении затрат и энергопотребления. Основной акцент в этой истории — это достижение CXMT с DRAM G5 и LPDDR5X на 24 Гбит, что отличается от предыдущих сообщений о планах R&D NAND CXMT или слухах о выходе годных HBM, фокусируясь на масштабировании SAQP, увеличении кристаллов на пластине и коммерциализации мобильной памяти, а не на спекуляциях о стековой памяти.