Российские ученые разработали метод выращивания преимущественно вертикальных нанонитей из нитрида галлия, используя пористую кремниевую подложку. При использовании стандартного кремния эти нанонити обычно формируются под углом к поверхности, однако благодаря специфической геометрии пор удалось обеспечить их рост строго перпендикулярно подложке.
Согласно информации, представленной пресс-службой Санкт-Петербургского государственного университета, полученные нанонити демонстрируют высокое качество структуры. В частности, их фотолюминесценция оказалась более чем в три раза интенсивнее, чем ожидалось.
Результаты данной научной работы были официально опубликованы в рецензируемом издании Materials Science in Semiconductor Processing.