Samsung объявила на конференции Future of Memory and Storage 2026, состоявшейся в среду (5-го числа), о новом поколении 3D-памяти, специально разработанной для области искусственного интеллекта. Эта новая архитектура под названием zHBM обещает значительно ускорить обработку данных и установила исторический рекорд, уложившись более чем в 400 слоев ячеек хранения в одном чипе.
Традиционно в системах ИИ модули памяти располагались рядом с процессорами. Инновация, представленная компанией, изменяет эту географическую конфигурацию, интегрируя память вертикально непосредственно над чипами обработки.
Эта физическая близость обеспечивает гораздо более эффективную передачу данных. По данным самой компании, это обеспечивает скорость передачи файлов до восьми раз выше и увеличивает энергоэффективность в три раза.
Обучение больших языковых моделей (LLM) требует обработки миллиардов параметров. Главное препятствие в этих серверах заключается не только в грубой вычислительной мощности ЦП или ГП, но и в скорости, с которой память может поставлять необходимые данные. Медленная память вынуждает процессор ждать поступления данных, чтобы продолжить выполнение задач.
Повышая пропускную способность, Samsung смягчает часть этого узкого места. Эта новинка отвечает потребностям таких гигантов, как OpenAI, Microsoft и Google, позволяя их центрам обработки данных работать быстрее и, следовательно, с меньшими эксплуатационными расходами в больших масштабах.
Этот запуск также укрепляет позиции производителя как ключевого поставщика для конкурентной экосистемы ИИ. Только за последний квартал подразделение, ответственное за производство чипов памяти, зарегистрировало рост продаж на 56%.
В дополнение к решениям для серверов компания представила память LPDDR5X-PIM, став первой в отрасли, внедрившей технологию Processing-in-Memory (PIM). Эта функция позволяет самому чипу памяти выполнять вычисления с данными, устраняя необходимость постоянного потока информации с процессором устройства и обеспечивая экономию энергии, что критически важно для мобильных устройств.
Другим технологическим достижением, продемонстрированным на мероприятии, стал новый стандарт памяти V10 BV-NAND, ориентированный на хранение, который показал увеличение плотности на 58%. Компании удалось уложить более 400 слоев ячеек в один компонент.
Несмотря на многообещающий потенциал этих рекордов, основное применение этой технологии будет в сфере ИИ. В настоящее время Samsung и ее конкурент SK Hynix доминируют в мировом производстве памяти и уже работают близко к пределам промышленной мощности. Из-за приоритета производства прибыльных чипов ИИ производство традиционной памяти отошло на второй план.
Дефицит базовых компонентов на сборочных линиях вызывает цепную реакцию. С уменьшением доступности памяти на складах производственные затраты растут. Конечный удар приходится на потребителя, что приводит к удорожанию электроники, такой как мобильные телефоны, ноутбуки и игровые консоли.



