Samsung Electronics во вторник (4-го числа) представила новую линейку технологий памяти, предназначенных для систем искусственного интеллекта, на конференции Future of Memory and Storage. Мероприятие состоялось в Санта-Кларе, Калифорния.
Южнокорейская компания продемонстрировала прототип V10 Bonding V-NAND, также известный как BV-NAND. Это решение было разработано с целью увеличения емкости хранения данных и повышения производительности приложений ИИ, требующих больших объемов данных.
Новая архитектура, представленная производителем, включает более 400 слоев и использует технологию соединения чипов (wafer bonding), которая позволяет повысить плотность памяти, снизить тепловые ограничения и оптимизировать энергопотребление.
С растущей эволюцией систем искусственного интеллекта, особенно тех, которые предназначены для генерации ответов пользователям, потребность в высокоемкой памяти значительно возросла. В этом контексте Samsung стремится укрепить свои позиции на рынке полупроводников путем разработки специализированных решений для более тяжелых рабочих нагрузок.
По словам самой компании, технология BV-NAND представляет собой прогресс по сравнению с предыдущим поколением, V9 NAND, демонстрируя увеличение плотности памяти примерно на 58%. Кроме того, были отмечены улучшения в функциях чтения, записи и операциях ввода-вывода данных — аспектах, критически важных для приложений, зависящих от сверхбыстрого хранения.
В дополнение к новому прототипу Samsung показала концепции архитектур под названием zHBM и zNAND-O, которые являются частью корпоративной стратегии по разработке трехмерной памяти. Это предложение заключается в вертикальном стекировании ячеек памяти для концентрации большего количества информации в меньшем пространстве.
Производитель объяснил, что технология zHBM отличается от традиционной памяти с высокой пропускной способностью тем, что располагает компоненты памяти вертикально над ускорителями искусственного интеллекта. Это приводит к сокращению пути, который проходят данные, и увеличению энергоэффективности.
Samsung также заявила, что ее метод соединения чипов может обеспечить плотность памяти, превышающую в десять раз плотность, достигнутую традиционными решениями на основе HBM5. Компания добавила, что этот метод потенциально может утроить энергоэффективность и снизить термическое сопротивление более чем наполовину.
Это объявление происходит на фоне обсуждений будущего спроса на чипы памяти. В то время как некоторые инвесторы выражают опасения по поводу возможных последствий падения потребления смартфонов в Китае, отраслевые аналитики указывают на то, что развитие искусственного интеллекта поддерживает спрос на высоком уровне.
Компания недавно сообщила, что долгосрочные контракты с клиентами могут составлять от 60% до 70% ее будущих продаж памяти. Отчеты Citi также показывают, что запасы в цепочках поставок DRAM и NAND остаются ниже исторических средних показателей, несмотря на неопределенность в других сегментах рынка.
