Искусственный интеллект (ИИ) утвердился как один из центральных маркетинговых аргументов в компьютерной индустрии. В последние годы производители подчеркивают включение специализированных нейронных процессоров (NPU), разработанных для ускорения операций ИИ, а также объявляют об улучшениях в производительности генеративных функций и о введении нового класса продуктов.
Баланс финансирования исследований и разработок изменился: теперь государственные и частные отрасли инвестируют почти одинаковые суммы. В последние годы наблюдается заметный рост вклада частного сектора в научные исследования. Государственные расходы сосредоточены на секторах, которые считаются стратегически важными и полезными для общества. Кроме того, транснациональные корпорации все чаще влияют на формирование исследовательской среды Индии, хотя общая интенсивность исследований все еще отстает от других крупных экономик.
Согласно последним данным из отчета «R&D Statistics At a Glance 2025-26», опубликованного Департаментом науки и технологий (DST), на каждые потраченные на НИОКР 100 рупий, правительство вносит примерно 48 рупий, а частная промышленность — 45 рупий.
Samsung Electronics во вторник (4-го числа) представила новую линейку технологий памяти, предназначенных для систем искусственного интеллекта, на конференции Future of Memory and Storage. Мероприятие состоялось в Санта-Кларе, Калифорния.
Южнокорейская компания продемонстрировала прототип V10 Bonding V-NAND, также известный как BV-NAND. Это решение было разработано с целью увеличения емкости хранения данных и повышения производительности приложений ИИ, требующих больших объемов данных.
Новая архитектура, представленная производителем, включает более 400 слоев и использует технологию соединения чипов (wafer bonding), которая позволяет повысить плотность памяти, снизить тепловые ограничения и оптимизировать энергопотребление.
С растущей эволюцией систем искусственного интеллекта, особенно тех, которые предназначены для генерации ответов пользователям, потребность в высокоемкой памяти значительно возросла. В этом контексте Samsung стремится укрепить свои позиции на рынке полупроводников путем разработки специализированных решений для более тяжелых рабочих нагрузок.
По словам самой компании, технология BV-NAND представляет собой прогресс по сравнению с предыдущим поколением, V9 NAND, демонстрируя увеличение плотности памяти примерно на 58%. Кроме того, были отмечены улучшения в функциях чтения, записи и операциях ввода-вывода данных — аспектах, критически важных для приложений, зависящих от сверхбыстрого хранения.
В дополнение к новому прототипу Samsung показала концепции архитектур под названием zHBM и zNAND-O, которые являются частью корпоративной стратегии по разработке трехмерной памяти. Это предложение заключается в вертикальном стекировании ячеек памяти для концентрации большего количества информации в меньшем пространстве.
Производитель объяснил, что технология zHBM отличается от традиционной памяти с высокой пропускной способностью тем, что располагает компоненты памяти вертикально над ускорителями искусственного интеллекта. Это приводит к сокращению пути, который проходят данные, и увеличению энергоэффективности.
Samsung также заявила, что ее метод соединения чипов может обеспечить плотность памяти, превышающую в десять раз плотность, достигнутую традиционными решениями на основе HBM5. Компания добавила, что этот метод потенциально может утроить энергоэффективность и снизить термическое сопротивление более чем наполовину.
Это объявление происходит на фоне обсуждений будущего спроса на чипы памяти. В то время как некоторые инвесторы выражают опасения по поводу возможных последствий падения потребления смартфонов в Китае, отраслевые аналитики указывают на то, что развитие искусственного интеллекта поддерживает спрос на высоком уровне.
Компания недавно сообщила, что долгосрочные контракты с клиентами могут составлять от 60% до 70% ее будущих продаж памяти. Отчеты Citi также показывают, что запасы в цепочках поставок DRAM и NAND остаются ниже исторических средних показателей, несмотря на неопределенность в других сегментах рынка.
Ступень верхнего уровня ракеты Falcon 9 от SpaceX готовится совершить неожиданный полет, завершив свою траекторию на поверхности Луны. Предполагается, что столкновение приведет к образованию нового кратера и поможет исследователям изучить последствия космических столкновений.
Объект находился на орбите более 18 месяцев после лунной миссии. Его путь к Луне не был запланирован, а был определен действием гравитации и солнечной активности.
Falcon 9 была запущена в январе 2025 года с двумя частными зондами: Blue Ghost от Firefly Aerospace и Resilience, построенным японской компанией ispace. Зонд Blue Ghost успешно приземлился и завершил свою миссию, тогда как Resilience потерпел неудачу при попытке посадки. При этом ступень верхнего уровня ракеты направилась к другому месту назначения.
Обычно SpaceX контролирует конец срока службы таких компонентов путем запланированного входа в земную атмосферу. Однако при данном запуске почти все топливо было использовано для доставки зондов в лунную область. Ступень весом около четырех тысяч килограммов находилась на высокой орбите, пересекающей лунную область. Прогнозируется, что она достигнет лунной поверхности в эту среду (5-е число) около 3:35 по бразильскому времени, сформировав кратер размером примерно 27 метров.
Ракета не получала команды двигаться к Луне; изменение курса происходило медленно, поскольку естественные силы изменяли ее траекторию. Джулианна Шейман, директор программ науки NASA и капсул Dragon в SpaceX, объяснила, что сочетание солнечной активности и гравитационных сил направило объект на лунный путь. Этот случай привлекает внимание, поскольку он демонстрирует растущую проблему в освоении космоса: что делать с оборудованием, которое продолжает вращаться после завершения миссии.
Среди основных моментов, связанных со столкновением, отмечаются: ступень весит около четырех тысяч килограммов; столкновение должно открыть кратер размером приблизительно 27 метров; ученые смогут изучить, как удары влияют на лунную поверхность; полученные данные могут помочь в планировании будущих пилотируемых миссий.
Скорее всего, большинство людей на Земле не увидят столкновения, так как оно произойдет на освещенной стороне Луны. Тем не менее, астрономы с мощными телескопами смогут обнаружить столб материала, выброшенного при ударе. Бенджамин Фернандо, исследователь Национальной лаборатории Лос-Аламос и руководитель исследования этого события, заявил, что явление поможет лучше понять опасности, вызванные космическим мусором. Эта обеспокоенность связана с планами NASA по строительству базы недалеко от южного полюса Луны в рамках программы Artemis. Поскольку астронавты будут жить там длительные периоды, предотвращение неожиданных столкновений станет важным вопросом. SpaceX сотрудничает с NASA и другими агентствами для поиска более безопасных способов утилизации использованных ступеней миссий с высокой энергией.
Falcon 9 не будет первым объектом, достигшим Луны таким образом. В 2022 году ступень верхнего уровня ракеты Long March 3C создала редкий двойной кратер на лунной поверхности. Новое столкновение должно добавить больше данных для понимания того, как происходят эти события, и как снизить связанные с ними риски в будущем. Бразильские астрономы уже готовят свои телескопы!
Как и во многих частях мира, в Бразилии астрономы ожидают этого момента. Некоторые из них также проведут покрытие столкновения в режиме реального времени, включая профили AstroNEOS, Astronomia Ao Vivo, OARU – Observatório Astronômico Rei do Universo и Mistérios do Espaço.
