A ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunciou o início da produção em série de sua plataforma DRAM de quinta geração, denominada Plataforma G5. Esta etapa importante foi apresentada na Conferência Mundial de Produção de 2026 em Hefei, onde também foi demonstrada a nova linha LPDDR5X desenvolvida nesta plataforma.
O fabricante de DRAM de Hefei posiciona o G5 como uma tecnologia que reduz a defasagem em relação às plataformas de memória mais avançadas produzidas em grande volume, em indicadores chave de produção. Além disso, o G5 oferece aos fabricantes de smartphones e dispositivos portáteis uma nova opção de memória móvel de alta densidade para cadeias globais de suprimentos eletrônicos.
Do ponto de vista do processo, a CXMT relata uma área ativa de meio de 11,95 nanômetros para os arrays de memória, alcançada usando o método de gravação quádrupla autoalinhada (SAQP). A empresa também observou que, após o redesenho do processo tecnológico e a integração de novos materiais, a proporção do capacitor atingiu 45:1, e a altura do array de célula principal diminuiu para 6.762 nm graças ao uso do fluxo HKMG otimizado para DRAM.
Os desenvolvimentos de suporte incluem uma linha de gêmeo digital que abrange projeto, fabricação de amostras, produção e manutenção do rendimento, bem como avanços em engenharia de interface, estruturas de cristas de sela e linhas de bits com baixo coeficiente de permissividade dielétrica.
A vantagem comercial é a densidade dos cristais. Em comparação com a quarta geração da plataforma CXMT, a densidade bruta de cristais no wafer G5 excede os indicadores da plataforma anterior em pelo menos 50% no nível base de 8 Gb, e isso foi medido antes de testes de defeitos, confirmando as alegações de melhor competitividade em custo e consumo de energia.
Na plataforma G5, foram lançados dois produtos LPDDR5X com capacidade de 24 Gb por cristal: um aumento de capacidade de 50% em comparação com SKUs semelhantes oferecidos em encapsulamentos de 496-ball e 245-ball para telefones e eletrônicos de consumo, e eles já estão sendo fornecidos em produção em série.
O vice-presidente Luo Xiaodong declarou que a capacidade de produção agora é 'comparável aos nós de produção em massa mais avançados' da indústria. Como notado pela Reuters, a plataforma foi projetada para criar memória mais potente com redução de custos e consumo de energia. O foco principal desta história é o feito da CXMT com DRAM G5 e LPDDR5X de 24 Gb, o que difere de comunicados anteriores sobre planos de P&D NAND da CXMT ou rumores sobre HBM funcionais, focando na escalabilidade do SAQP, no aumento de cristais no wafer e na comercialização da memória móvel, em vez de especulações sobre memória empilhada.