A Suzhou Zhicai Technology desenvolveu com sucesso um alvo de óxido de magnésio de alta pureza e alta densidade, com 6 polegadas, que atende aos requisitos de produção de junções túnel magnético MRAM. Este alvo possui pureza 4N e densidade superior a 99,8 por cento, e uniformidade de grãos que atinge o nível de ponta internacional, superando os principais concorrentes japoneses, que geralmente relatam uma densidade ligeiramente superior a 99,7 por cento.
Este avanço fecha o último segmento da cadeia de suprimentos de materiais MRAM, que antes era controlado por empresas estrangeiras, visto que todos os outros alvos magnéticos metálicos já eram fornecidos internamente.
O MRAM, ou memória de acesso aleatório magnetoresistiva, utiliza o grau de liberdade do spin do elétron para combinar velocidades próximas às da DRAM com não volatilidade de classe NAND e latência de leitura cerca de mil vezes menor do que a NAND. Graças ao seu design, a tecnologia é resistente à radiação, o que elimina a necessidade de correção de erros de evento único separada, tornando-a dominante em sistemas de armazenamento de dados para espaçonaves, satélites militares e sistemas de navegação de mísseis.
À medida que os nós lógicos diminuem abaixo de 28 nanômetros, o MRAM integrado começa a substituir a memória flash integrada como a principal opção de memória não volátil para microcontroladores automotivos de próxima geração e controladores periféricos de IA.
O mercado de baixo nível está acelerando em sincronia. A Samsung posiciona o MRAM juntamente com DRAM e memória de alta velocidade como um elemento estratégico, enquanto a TSMC visa estar pronta para a produção de MRAM com processo tecnológico de 5 nanômetros até 2027. Em março de 2025, a NXP lançou o microcontrolador automotivo FinFET S32K5 com MRAM integrado, e a Everspin apresentou seu MRAM UNISYST com densidades de 128 megabits a 2 gigabits e taxa de leitura de 400 megabytes por segundo.
De acordo com estimativas da Fortune Business Insights, o mercado global de chips MRAM estava avaliado em US$ 4,49 bilhões em 2025 e deve atingir US$ 86,78 bilhões até 2034, com uma taxa de crescimento anual composta de 38,97 por cento.
O ecossistema MRAM chinês atingiu um ponto crítico para a produção em massa. A GigaDevice fornece amostras de STT-MRAM certificadas para clientes automotivos e industriais. A Zhizhen Storage implementou chips SOT-MRAM em sistemas de controle de voo de drones de baixa altitude. Uma linha de produção especializada de MRAM de 8 polegadas opera em Qingdao, e a Hanxu Technology concluiu o desenvolvimento de um chip MRAM integrado de 8 nanômetros para IA. Com a qualificação do alvo MgO da Suzhou Zhicai, as linhas piloto de MRAM chinesas obtiveram suprimento totalmente doméstico de matérias-primas no nível superior, pondo fim à dupla pressão das restrições que anteriormente recaíam sobre as instituições chinesas de desenvolvimento de MRAM.
A Suzhou Zhicai foi fundada por funcionários que retornaram sob o programa nacional de atração de talentos da China, em colaboração com cientistas pesquisadores líderes em alvos de óxidos. A empresa já é o único fornecedor doméstico e um dos três no mundo com solução completa para alvos supercondutores de alta temperatura ReBCO, exportando em pequenos lotes. O alvo MRAM-MgO representa o segundo grande avanço da empresa no campo de alvos de óxidos e confirma a estratégia dupla que abrange supercondutores de alta temperatura e materiais chave de chips semicondutores.



