A Samsung anunciou, durante a conferência Future of Memory and Storage 2026 realizada nesta quarta-feira (5), uma nova geração de memórias 3D especificamente desenvolvida para o campo da inteligência artificial. Esta nova arquitetura, denominada zHBM, promete acelerar significativamente o processamento de dados e estabeleceu um feito histórico ao empilhar mais de 400 camadas de células de armazenamento em um único chip.
Tradicionalmente, nos sistemas de IA, os módulos de memória eram posicionados adjacentes aos processadores. A inovação apresentada pela companhia altera essa configuração geográfica ao integrar a memória verticalmente diretamente sobre os chips de processamento.
Essa proximidade física resulta em uma transmissão de dados muito mais eficiente. De acordo com a própria empresa, isso proporciona uma velocidade de transferência de arquivos até oito vezes superior, além de aumentar a eficiência energética em três vezes.
O treinamento de grandes modelos de linguagem (LLMs) demanda o processamento de bilhões de parâmetros. O principal obstáculo nesses servidores não reside apenas na capacidade bruta de processamento da CPU ou GPU, mas sim na rapidez com que a memória consegue suprir as informações necessárias. Uma memória lenta força o processador a aguardar a chegada dos dados para prosseguir com suas tarefas.
Ao elevar a taxa de transferência, a Samsung mitiga parte desse gargalo. Essa novidade atende às necessidades de gigantes como OpenAI, Microsoft e Google, permitindo que seus data centers funcionem de maneira mais rápida e, consequentemente, com custos operacionais menores em grande escala.
Este lançamento também fortalece a posição da fabricante como fornecedora chave para o competitivo ecossistema de IA. Somente no último trimestre, a divisão responsável pela fabricação de chips de memória registrou um crescimento de 56% em suas vendas.
Adicionalmente às soluções para servidores, a empresa introduziu a memória LPDDR5X-PIM, sendo a primeira do setor a incorporar a tecnologia Processing-in-Memory (PIM). Esta funcionalidade possibilita que o próprio chip de memória execute cálculos de dados, eliminando a necessidade de um fluxo constante de informações com o processador do dispositivo e gerando economia de energia, o que é crucial para dispositivos móveis.
Outro avanço tecnológico exibido no evento foi o novo padrão de memória V10 BV-NAND, focado em armazenamento, que demonstrou um aumento de 58% na densidade. A empresa conseguiu empilhar mais de 400 camadas de células em um único componente.
Apesar do potencial promissor desses recordes, a maior aplicação dessa tecnologia será no mercado de IA. Atualmente, a Samsung e sua concorrente SK Hynix detêm o domínio na produção global de memória e já estão operando perto dos limites da capacidade industrial. Devido à prioridade em produzir os lucrativos chips de IA, a manufatura de memórias convencionais foi relegada a segundo plano.
A carência de componentes básicos nas linhas de montagem desencadeia um efeito cascata. Com menor disponibilidade de memórias nos estoques, os custos de produção aumentam. O impacto final recai sobre o consumidor, resultando no encarecimento de eletrônicos como celulares, notebooks e consoles.
A Samsung Electronics divulgou, nesta terça-feira (04), uma nova linha de tecnologias de memória direcionada aos sistemas de inteligência artificial durante a conferência Future of Memory and Storage. O evento foi realizado em Santa Clara, na Califórnia.
A empresa sul-coreana exibiu o protótipo V10 Bonding V-NAND, conhecido também como BV-NAND. Esta solução foi desenvolvida com o objetivo de aumentar a capacidade de armazenamento e aprimorar o desempenho de aplicações de IA que demandam grandes volumes de dados.
A nova arquitetura apresentada pela fabricante integra mais de 400 camadas e utiliza uma tecnologia de conexão entre wafers que permite elevar a densidade de memória, diminuir as restrições térmicas e otimizar o consumo de energia.
Com a crescente evolução dos sistemas de inteligência artificial, particularmente aqueles voltados à geração de respostas para usuários, a necessidade por memórias de alta capacidade tem aumentado significativamente. Neste contexto, a Samsung busca consolidar sua posição no mercado de semicondutores através do desenvolvimento de soluções específicas para cargas de trabalho mais pesadas.
Segundo a própria companhia, a tecnologia BV-NAND representa um progresso em comparação com a geração anterior, a V9 NAND, apresentando um aumento aproximado de 58% na densidade de memória. Além disso, foram relatadas melhorias nas funcionalidades de leitura, gravação e nas operações de entrada e saída de dados, aspectos cruciais para aplicações que dependem de armazenamento ultrarrápido.
Adicionalmente ao novo protótipo, a Samsung mostrou conceitos de arquiteturas denominadas zHBM e zNAND-O, que fazem parte da estratégia corporativa para o desenvolvimento de memórias tridimensionais. Essa proposta consiste no empilhamento vertical de células de memória para concentrar mais informações em um espaço menor.
A fabricante explicou que a tecnologia zHBM difere das memórias de alta largura de banda convencionais por posicionar os componentes de memória verticalmente sobre aceleradores de inteligência artificial. Isso resulta na redução do trajeto percorrido pelos dados e no aumento da eficiência energética.
A Samsung também declarou que sua técnica de ligação entre wafers pode possibilitar uma densidade de memória superior a dez vezes aquela alcançada por soluções tradicionais baseadas em HBM5. A empresa complementou que essa metodologia tem potencial para triplicar a eficiência energética e reduzir a resistência térmica em mais da metade.
Este anúncio acontece em um período de discussões sobre o futuro da demanda por chips de memória. Enquanto alguns investidores manifestam apreensão quanto aos possíveis efeitos de uma queda no consumo de smartphones na China, analistas do setor indicam que o avanço da inteligência artificial sustenta a procura em patamares elevados.
A companhia revelou recentemente que contratos de longo prazo com clientes podem corresponder entre 60% e 70% de suas vendas de memória futuras. Relatórios do Citi também apontaram que os estoques das cadeias de suprimentos de DRAM e NAND permanecem abaixo das médias históricas, mesmo diante das incertezas em outros segmentos do mercado.
