A Samsung Electronics divulgou, nesta terça-feira (04), uma nova linha de tecnologias de memória direcionada aos sistemas de inteligência artificial durante a conferência Future of Memory and Storage. O evento foi realizado em Santa Clara, na Califórnia.
A empresa sul-coreana exibiu o protótipo V10 Bonding V-NAND, conhecido também como BV-NAND. Esta solução foi desenvolvida com o objetivo de aumentar a capacidade de armazenamento e aprimorar o desempenho de aplicações de IA que demandam grandes volumes de dados.
A nova arquitetura apresentada pela fabricante integra mais de 400 camadas e utiliza uma tecnologia de conexão entre wafers que permite elevar a densidade de memória, diminuir as restrições térmicas e otimizar o consumo de energia.
Com a crescente evolução dos sistemas de inteligência artificial, particularmente aqueles voltados à geração de respostas para usuários, a necessidade por memórias de alta capacidade tem aumentado significativamente. Neste contexto, a Samsung busca consolidar sua posição no mercado de semicondutores através do desenvolvimento de soluções específicas para cargas de trabalho mais pesadas.
Segundo a própria companhia, a tecnologia BV-NAND representa um progresso em comparação com a geração anterior, a V9 NAND, apresentando um aumento aproximado de 58% na densidade de memória. Além disso, foram relatadas melhorias nas funcionalidades de leitura, gravação e nas operações de entrada e saída de dados, aspectos cruciais para aplicações que dependem de armazenamento ultrarrápido.
Adicionalmente ao novo protótipo, a Samsung mostrou conceitos de arquiteturas denominadas zHBM e zNAND-O, que fazem parte da estratégia corporativa para o desenvolvimento de memórias tridimensionais. Essa proposta consiste no empilhamento vertical de células de memória para concentrar mais informações em um espaço menor.
A fabricante explicou que a tecnologia zHBM difere das memórias de alta largura de banda convencionais por posicionar os componentes de memória verticalmente sobre aceleradores de inteligência artificial. Isso resulta na redução do trajeto percorrido pelos dados e no aumento da eficiência energética.
A Samsung também declarou que sua técnica de ligação entre wafers pode possibilitar uma densidade de memória superior a dez vezes aquela alcançada por soluções tradicionais baseadas em HBM5. A empresa complementou que essa metodologia tem potencial para triplicar a eficiência energética e reduzir a resistência térmica em mais da metade.
Este anúncio acontece em um período de discussões sobre o futuro da demanda por chips de memória. Enquanto alguns investidores manifestam apreensão quanto aos possíveis efeitos de uma queda no consumo de smartphones na China, analistas do setor indicam que o avanço da inteligência artificial sustenta a procura em patamares elevados.
A companhia revelou recentemente que contratos de longo prazo com clientes podem corresponder entre 60% e 70% de suas vendas de memória futuras. Relatórios do Citi também apontaram que os estoques das cadeias de suprimentos de DRAM e NAND permanecem abaixo das médias históricas, mesmo diante das incertezas em outros segmentos do mercado.

