ChangXin Memory Technologies (CXMT) kompaniyasi oʻzining G5 Platforma deb nomlangan beshinchi avlod DRAM platformasining seriy ishlab chiqarilishini boshlaganini eʼlon qildi. Bu muhim bosqich Hefei shahrida boʻlib oʻtgan 2026-yilgi Jahon ishlab chiqarish konferensiyasida taqdim etildi, u yerda ushbu platformada ishlab chiqilgan yangi LPDDR5X liniyasi ham namoyish etildi.
Hefei DRAM ishlab chiqaruvchisi G5 ni asosiy ishlab chiqarish koʻrsatkichlari boʻyicha eng ilgʻor hajmlarda ishlab chiqarilayotgan xotira platformalaridan ortda qolishni kamaytiradigan texnologiya sifatida joylashtiradi. Bundan tashqari, G5 smartfonlar va portativ texnika ishlab chiqaruvchilari uchun global elektronika taʼminot zanjirlari uchun yuqori zichlikdagi mobil xotiraning yangi variantini taklif etadi.
Jarayon nuqtai nazaridan, CXMT SAQP (self-aligning quadplex etching) usuli yordamida erishilgan 11,95 nanometrli xotira massivlari uchun faol yuzani eʼlon qilmoqda. Kompaniya shuningdek, texnologik jarayonni qayta loyihalash va yangi materiallarni integratsiya qilishdan soʻng, kondensatorning nisbatining 45:1 ga yetganini va DRAM uchun optimallashtirilgan HKMG oqimi yordamida asosiy hujayra massividagi balandlik 6 762 nm gacha kamayganini taʼkidladi.
Qoʻllab-quvvatlovchi ishlab chiqishlarga dizayn, namuna ishlab chiqarish, ishlab chiqarish va sifatli mahsulot chiqishini saqlashni qamrab oluvchi raqamli ikizi tizimi, shuningdek, interfeys muhandisligi, oʻrinbosar togʻ choʻqqilari va past dielektrik oʻtkazuvchanlik koeffitsientiga ega bit chiziqlari sohasidagi yutuqlar kiradi.
Tijorat afzalligi kristallar zichligidir. CXMT ning toʻrtinchi avlod platformasiga qaraganda, G5 plitasidagi kristallar zichligi 8 Gbit asosiy darajada kamida 50% dan ortiq koʻtariladi va bu nuqsonlarni tekshirishdan oldin olingan oʻlchovlar bilan tasdiqlangan boʻlib, narx va energiya sarfi boʻyicha yuqori raqobatbardoshlik haqidagi bayonotlarni tasdiqlaydi.
G5 platformasida kristallga 24 Gbit sigʻimli ikki LPDDR5X mahsuloti debiut qildi: bu telefonlar va isteʼmolchi elektronikasidagi 496-ball va 245-ball korpuslarda taklif etilayotgan shunga oʻxshash SKUlarga nisbatan sigʻimning 50% ga oshishi boʻlib, ular allaqachon seriy ishlab chiqarishda yetkazib berilmoqda.
Vitse-prezident Lo Xiaodun ishlab chiqarish quvvati endi sanoatdagi «eng ilgʻor masshtabli ishlab chiqarish tugunlari bilan teng keladi» deb aytdi. Reuters taʼkidlaganidek, platforma xarajatlar va energiya sarfini kamaytirish orqali kuchliroq xotirani yaratish uchun ishlab chiqilgan. Ushbu hikoyadagi asosiy eʼtibor CXMT ning G5 DRAM va 24 Gbit LPDDR5X yutuqlariga qaratilgan boʻlib, bu CXMT ning NAND R&D rejalariga oid avvalgi xabarlardan yoki HBM sifatli mahsulotlar chiqqanligi haqidagi xabarlardan farq qiladi, balki SAQP ni kengaytirish, plitadagi kristallar sonini oshirish va mobil xotirani tijoratlashtirishga eʼtibor qaratadi, stack xotira haqidagi spekulyatsiyalarga emas.