Mudofaa vazirligi 2025–26 yillar uchun eng soʻnggi yillik hisobotida Mudofaa sohasidagi tadqiqot va ishlab chiqish tashkiloti (DRDO) tomonidan galyiy nitridi (GaN) asosidagi monolit mikrotoʻlqinli integrallangan sxemalar (GaN MMIC) mahalliy texnologiyasining muvaffaqiyatli namoyish etilishi va joriy etilganligi haqida maʼlumot berdi.
Bu texnologiya keyingi avlod radar va radioelektron kurash tizimlarini ishga tushirish imkonini beradigan yuqori chastotali mudofaa tizimlari uchun moʻljallangan.
Vazirlik hisoboti maʼlumotlariga koʻra, GaN asosidagi 3,5 x 3 mm oʻlchamdagi bitta mahalliy chip 30 vattgacha quvvat yetkazib bera oladi va kremniy tezligidan 300 baravar yuqori tezlikda ishlaydi. GaN MMIC ning mahalliy texnologiyasi X-diapazonigacha qoʻllash uchun muvaffaqiyatli namoyish etildi va joriy etildi.