Yarimoʻtkazgich sanoatida har bir material, qurilma va ilova generatsiyasi maʼlum bir rivojlanish bosqichiga mos kelishi haqida mustahkam fikr mavjud. Biroq, toʻrtinchi avlod yarimoʻtkazgichlari bozordagi koʻpchilik ishtirokchilari sarmoya kiritishdan qoʻrqadigan soha boʻlib qolmoqda, chunki ilgʻor natijalar hozircha faqat universitet laboratoriyalarida mavjud. Shanghai Lingan hududida jarayonni tezlashtirdi, 2024-yil mart oyida birinchi tizimli sxemani rejalashtirdi, 2025-yil may oyiga qadar kelajakdagi sanoatning birinchi klasterini va 2026-yil iyul oyida birinchi klaster qurilish rejasi mavjud.
Toʻrtinchi avlod yarimoʻtkazgichlariga ultra keng va ultra tor taqiqlangan zonalarga ega turlar kiradi: birinchisi gallium oksid, alyuminiy nitrid va olmos, ikkinchisi esa indiy sulfid va gallium sulfidi. Shanghai Fan va Texnologiya Komissiyasining toʻrtinchi avlod loyiha menejeri Yu Jinxiu vaqt jadvalini taqdim etdi: uchinchi avlod tadqiqotlari hali 1980-yillarda laboratoriyalarda boshlangan, ammo sanoatdagi joriy etish 2018-yilda, Tesla kompaniyasi Model 3 modelida kremniy karbididan foydalanganida keng miqyosga erishgan, bu oʻttiz yildan ortiq transformatsiya boʻldi. Gallium oksidiga kelsak, qurilmaning birinchi jahon natijasi 2012-yilda qayd etilgan; shu yoʻnalishda, qoʻllanilishi 2040-yildan keyin paydo boʻlishi mumkin. Shu sababli, 2024-yilda ish boshlash qarori qabul qilindi, oʻn yildan ortiq uzoq boʻlib tuyuladigan ssenariolarga qaratilgan; bu bosqich investitsion kuzatuv davrida boʻlib, yetakchi sxema diqqatni jalb qilishga qodir.
Yakuniy isteʼmolchilar materiallarning avlodlariga eʼtibor bermaydilar; ularning asosiy ehtiyoji talab qilinadigan xususiyatlarga erishish bilan birga xarajatlarni sezilarli darajada kamaytirishdir. Toʻrtinchi avlod uchun kalit omil narxdir: gallium oksid kremniy karbid uchun qatʼiy gaz fazali usuldan farqli oʻlaroq, suyuq fazada tayyorlash imkonini beradi, bu masshtabli ishlab chiqarish boshlangandan soʻng narxda gigantik ustunlik beradi. Yuqori chastotali aloqa filtrlarida mavjud materiallar fizik chegaralarga yaqinlashmoqda, bu tizim ishlab chiquvchilarni yangi, ilgʻor materiallarni izlashga majbur qilmoqda. Lingan klasteri rejasi 2026–2028-yil davrida kamida 50 ta kompaniyani jalb qilish va 2028-yilgacha 5 milliard yuan dan oshadigan sanoat hajmi erishishga qaratilgan.
Universitetlar va institutlarning ilmiy yutuqlari oʻzi sanoat raqobatbardoshligini kafolatlamaydi. Sinan yarimoʻtkazgichlar inkubatori direktori Li Sihuay taʼkidlaydiki, bozor talabi asosidagi tajribaga ega boʻlmagan tadqiqotchilar kompaniyalar yaratadi. 2025-yilda Sinan shaharda toʻrtinchi avlod konsepsiyaviy tekshiruv markazini ishga tushirdi, tanlovdan sinov ishlab chiqarishgacha va natijalarni gallium oksid, olmos, alyuminiy nitrid va sulfidlar bilan bogʻliq yoʻnalishlar atrofida oʻz ichiga olgan yopiq siklni yaratdi. Professor Shanghai Jiaotong universiteti tomonidan asos solingan Xinjing Energy kompaniyasi yorqin misol hisoblanadi: oʻtgan yili Create-in-Shanghai tanlovida gʻalaba qozonganidan bir necha kun oʻtgach, u Linganga joylashdi. Hu jamoasi 60 000 birlikni integratsiya qiluvchi termoelektrik chip ishlab chiqardi; Sinan buni Baosteelning chiqindi issiqligidan foydalanish ehtiyoji bilan bogʻladi, bu uni poʻlat, sement va termoelektrik sanoat uchun qayta tiklashga yordam beradi, bu yerda Xitoyning yillik yoʻqotilishi Trigorges uchib oʻtishlari ekvivalentidan 100 dan ortiq yoʻqotilishdan oshadi. Siyosat nuqtai nazaridan, Lingan grantlarni investitsiyalarga aylantirishni taqdim etadi: hukumat tadqiqot va ishlab chiqish (R&D) grantlari orqali transformatsiyalarni qoʻllab-quvvatlaydi, soʻngra tashqi investorlar ishtirokida Qihang farishtalik fondi birinchi investitsiyani amalga oshiradi, bunda grantning asosiy kapitali qaytariladi. Sinan shuningdek, Lingan Group tomonidan 500 million yuanlik farishtalik fondiga umid qilmoqda, unga inkubatordagi beshta loyiha investitsiya qilingan; bir yil ichida 1200 kvadrat metr maydonli konsepsiyaviy-tekshiruv hajmi yaratildi va bir loyiha birinchi yarim yilda transformatsiya qilindi.