Samsung bu chorshanba kuni (5-sentabr) oʻtkazilgan 'Future of Memory and Storage 2026' konferensiyasi davomida sunʼiy intellekt sohasiga maxsus ishlab chiqilgan yangi avlod 3D xotiralarni eʼlon qildi. zHBM deb nomlangan bu yangi arxitektura maʼlumotlarni qayta ishlashni sezilarli darajada tezlashtirish va bitta chipda 400 dan ortiq saqlash hujayralarini ketma-ket joylashtirish orqali tarixiy yutuqni amalga oshirdi.
Anʼanaviy ravishda AI tizimlarida xotira modullari protsessorlarga yonma-yon joylashtirilardi. Kompaniyaning taqdim etgan innovatsiyasi bu geografik konfiguratsiyani oʻzgartiradi va xotirani vertikal ravishda toʻgʻridan-toʻgʻri protsessor chiplari ustiga integratsiya qiladi.
Bu jismoniy yaqinlik ancha samarali maʼlumot uzatilishiga olib keladi. Kompaniya oʻzining aytishicha, bu fayllarni oʻn martagacha tezroq uzatish imkonini beradi, shuningdek, energiya samaradorligini uch barobar oshiradi.
Katta til modellari (LLM)ni oʻqitish milliardlab parametrlarni qayta ishlashni talab qiladi. Ushbu serverlardagi asosiy toʻsiq faqat CPU yoki GPU ning xom qayta ishlash quvvatida emas, balki xotira kerakli maʼlumotlarni qanchalik tez taʼminlay olishida yotadi. Sekin xotira protsessorni vazifalarini davom ettirish uchun maʼlumotlar kelishini kutishga majbur qiladi.
Uzatmalar tezligini oshirish orqali Samsung bu bosimning bir qismini kamaytiradi. Bu yangilik OpenAI, Microsoft va Google kabi gigantlarning ehtiyojlariga javob beradi, ularning maʼlumotlar markazlari yanada tez ishlashiga va natijada katta miqyosda operatsion xarajatlarining kamayishiga imkon beradi.
Bu ishga tushirish ham ishlab chiqaruvchining raqobatbardosh AI ekotizimida asosiy yetkazib beruvchi sifatida mavqeini mustahkamlaydi. Faqat oxirgi chorakda xotira chiplarini ishlab chiqarish boʻlimi sotuvlarda 56% oʻsishni qayd etdi.
Serverlar uchun yechimlarga qoʻshimcha ravishda, kompaniya Processing-in-Memory (PIM) texnologiyasini oʻz ichiga olgan sanoatdagi birinchi mahsulot boʻlgan LPDDR5X-PIM xotirasini kiritdi. Bu funksionallik xotira chipi oʻzining maʼlumotlarni hisoblashi mumkinligini taʼminlaydi, qurilmaning protsessori bilan maʼlumotlarning doimiy oqimi zaruriyatini yoʻq qiladi va energiya tejashga olib keladi, bu mobil qurilmalar uchun juda muhimdir.
Tadbirda namoyish etilgan yana bir texnologik yutuq - saqlashga qaratilgan yangi V10 BV-NAND xotira standarti boʻlib, u zichlikda 58% oshishni koʻrsatdi. Kompaniya bitta komponentda 400 dan ortiq hujayra qatlamlarini joylashtirishga muvaffaq boʻldi.
Bu rekordlarning istiqbolli salohiyati boʻlsa-da, ushbu texnologiyaning eng katta qoʻllanilishi AI bozorida boʻladi. Hozirda Samsung va uning raqobatchisi SK Hynix global xotira ishlab chiqarishda ustunlikka ega va allaqachon sanoat quvvati chegaralariga yaqin ishlamoqda. Foyda keltiruvchi AI chiplarini ishlab chiqarish ustuvorligi tufayli, anʼanaviy xotiralarni ishlab chiqarish ikkinchi rejaga qoʻyildi.
Yigʻish liniyalaridagi asosiy komponentlarning tanqisligi kaskad effektini keltirib chiqaradi. Omborlardagi xotiralar mavjudligi kamayishi bilan ishlab chiqarish xarajatlari oshadi. Yakuniy taʼsir isteʼmolchiga tushadi va bu telefonlar, noutbuklar va konsollar kabi elektronika narxining oshishiga olib keladi.
Samsung Electronics seshanba kuni (04-yil) Santa Klara, Kaliforniyada boʻlib oʻtgan 'Future of Memory and Storage' konferensiyasi davomida sunʼiy intellekt tizimlari uchun moʻljallangan yangi xotira texnologiyalari liniyasini eʼlon qildi.
Janubiy Koreya kompaniyasi BV-NAND deb ham tanilgan V10 Bonding V-NAND prototipini namoyish etdi. Ushbu yechim katta hajmdagi maʼlumotlarni talab qiladigan AI ilovalari uchun saqlash quvvatini oshirish va samaradorlikni yaxshilash maqsadida ishlab chiqilgan.
Ishlab chiqaruvchi tomonidan taqdim etilgan yangi arxitektura 400 dan ortiq qavatni oʻz ichiga oladi va waferlar orasidagi ulanish texnologiyasidan foydalanadi, bu xotira zichligini oshirishga, termik cheklovlarni kamaytirishga va energiya sarfini optimallashtirishga imkon beradi.
Sunʼiy intellekt tizimlarining, ayniqsa foydalanuvchilarga javoblar yaratishga yoʻnaltirilganlarning tobora rivojlanishi bilan yuqori quvvatli xotiralarga boʻlgan ehtiyoj sezilarli darajada oshib bormoqda. Bu kontekstda Samsung ogʻir yuklamalar uchun maxsus yechimlarni ishlab chiqish orqali yarimoʻtkazchilar bozoridagi oʻz oʻrnini mustahkamlashni maqsad qilmoqda.
Kompaniya oʻzining BV-NAND texnologiyasi avvalgi V9 NAND avlodiga nisbatan taraqqiyotni ifodalashini, xotira zichligida taxminan 58% oshishni koʻrsatishini taʼkidladi. Bundan tashqari, tezkor saqlashga tayanadigan ilovalar uchun muhim boʻlgan oʻqish, yozish va maʼlumotlarni kiritish/chiqarish operatsiyalari funksionalligidagi yaxshilanishlar haqida maʼlumot berildi.
Yangi prototipdan tashqari, Samsung uch oʻlchovli xotiralarni ishlab chiqish boʻyicha korporativ strategiyasining bir qismi boʻlgan zHBM va zNAND-O deb nomlangan arxitekturalar konsepsiyalarini ham koʻrsatdi. Ushbu taklif xotira hujayralarini vertikal ravishda ketma-ket joylashtirish orqali kichikroq maydonda koʻproq maʼlumotni jamlashni nazarda tutadi.
Ishlab chiqaruvchi zHBM texnologiyasi anʼanaviy yuqori kenglikli magistral xotiralardan farqli oʻlaroq, xotira komponentlarini sunʼiy intellekt akseleratorlari ustiga vertikal joylashtirishini tushuntirdi. Bu maʼlumotlar yoʻl uzunligini qisqartiradi va energiya samaradorligini oshiradi.
Samsung shuningdek, waferlar orasidagi bogʻlash usuli HBM5 asosidagi anʼanaviy yechimlarga erishilgan zichlikdan oʻn baravar ortiq xotira zichligini taʼminlashi mumkinligini eʼlon qildi. Kompaniya bu metodologiya energiya samaradorligini uch barobar oshirish va termik qarshilikni yarimdan ortiq kamaytirish potentsialiga ega ekanligini qoʻshimcha qildi.
Bu eʼlon xotira chiplari talabi kelajagi haqidagi muhokamalarning davrida sodir boʻldi. Baʼzi investorlar Xitoydagi smartfon isteʼmolining pasayishi mumkin boʻlgan taʼsirlari haqida xavotir bildirayotgan boʻlsa-da, sektor tahlilchilari sunʼiy intellektning rivojlanishi talabni yuqori darajada ushlab turishini koʻrsatmoqda.
Kompaniya yaqinda mijozlar bilan uzoq muddatli shartnomalar uning kelajakdagi xotira sotuvlarining 60% dan 70% gacha tashkil qilishini oshkor qildi. Citi hisobotlari ham boshqa bozor segmentlaridagi noaniqliklarga qaramay, DRAM va NAND taʼminot zanjirlaridagi omborlar tarixiy oʻrtacha qiymatlardan pastda qolayotganini koʻrsatdi.
