Huawei kompaniyasi o'zining Tau Qonuni ($tau$ scaling) deb nomlangan freymvorkining ikkinchi versiyasini chiqardi. Ushbu freymvork chiplarni kengaytirish uchun umumiy tizim kechikishini kamaytirishga asoslangan yangi modelni taklif qiladi, shu bilan Murr Qonuniga chorlaydi va 2035 yilgacha bo'lgan aniq ishlab chiqarish ma'lumotlari va yo'l xaritasi bilan tasdiqlanadi.
>Yarmalak materiallar sanoatining besh yuzmdan ortiq yillar davomida rivojlanishini belgilab kelgan Murr Qonuni ikki cheklovga duch kelmoqda. 7 nm va undan kichik tugunlarda har bir tugunni kichraytirishdan kelib chiqqan samaradorlik oshishi kamayib bormoqda, shuningdek, 2 nm chipni loyihalash xarajatlari 1 milliard dollardan oshdi.
Huawei kengashi a'zosi va yarim o'tkazgichlar prezidenti He Tingbo tomonidan ishlab chiqilgan Tau Qonuni transistorlarni kichraytirish o'rniga, sanoat butun hisoblash zanjirini optimallashtirishi kerakligini ta'kidlaydi — pikosekund darajasidagi transistorlar almashtirishdan tortib, sekund darajasidagi ma'lumotlar bazasi markazlarida vazifalarni rejalashtirishgacha.
V2 hujjatida ikkita tasdiqlangan o'rganish holati keltirilgan. Mobil SoC uchun Huawei ning LogicFolding texnologiyasi raqamli, analog va xotira sxemalarini ultra-nozik gibrid ulanish yordamida vertikal joylashgan ikkita plitada ajratish imkonini beradi. Bu usul transistorlar zichligini 155 mln Tr/mm² dan 238 mln Tr/mm² gacha oshirdi, bu esa bir xil texnologik tugunda oldingi avlodga nisbatan 50% dan ortiq oshishni bildiradi.
Sun'iy intellektli ma'lumotlar bazasi markazlari klasterlari uchun Tau Qonuni chiplar va koridorlar orasidagi ma'lumot uzatish kechikishiga e'tibor qaratadi, chunki energiya sarfi 80% dan ortig'i hisoblash emas, balki ma'lumotlarni ko'chirishga ketadi. Taklif etilgan yechim uchta innovatsiyani birlashtiradi: to'liq protokollar stacki semantikasi bilan bevosita ulanishni ta'minlovchi Unified Bus, bu kechikishni bir necha mikrosekunddan taxminan 100 nanosekundgacha kamaytiradi; 100 metrgacha masofada modulga 8 Tb/s uzata oladigan optik Hi-ONE dvigateli; va 3D Folding texnologiyasi, bu xotira, quvvat va optika modullarini chipning chetidan uning yuzasiga ko'chirib, uzatish tezligi va quvvatning hisoblashlarga nisbatan kvadratik ravishda o'sishiga imkon beradi.
Tau Qonuni paradigmaning o'zgarishini belgilaydi: bitta o'lchovni optimallashtirishdan butun stack kechikish metrikasiga o'tish. Har bir tomon o'z qatlamini mustaqil optimallashtirish o'rniga, transistorlardan ma'lumotlar bazasi markazigacha bo'lgan butun zanjir endi bitta maqsadli $\tau$ metrikasiga intiladi. Hujjatda texnologik jarayonni kichraytirish orqali emas, balki kechikishlarni siqish orqali 2035 yilga qadar apparat integratsiyasining 100 barobar yaxshilanishi prognoz qilinadi.
Guangzhouga joylashgan AIFU Semiconductor kompaniyasi BAW filtrli chiplar ishlab chiqarish hajmini bir milliard birlikka yetkazib bormoqda. Bu ularga avval Broadcom va Qorvo nazorat qilgan 5G radiokrequenziya filtrlari segmentiga kirish imkonini beradi va bu monokristallin alyuminiy nitridiga asoslangan patentlangan texnologiyadan foydalanadi.
AIFU Semiconductor Xitoydagi yagona va dunyodagi uchinchi kompaniya bo‘lib, 5G ning o‘rta va yuqori chastotali diapazonlari uchun BAW filtrli chiplarning to‘liq ishlab chiqarish zanjirini egallagan. Kompaniya yillik ishlab chiqarish quvvatini bir milliarddan oshirishni, shu bilan birga 98–99% barqaror mahsulot hosildorligi darajasini saqlashni maqsad qilgan. Kompaniyaning mahsulotlari allaqachon Samsung va ZTE kabi yirik terminal ishlab chiqaruvchilarining ishlab chiqarish liniyalariga integratsiya qilingan.
BAW chiplari 5G va undan yuqori tarmoqlar uchun radiokrequenziya front-end tizimlarining asosiy elementlari bo‘lib, ular signal qabul qilish sifati va aqlli terminallarning shovqinlarga chidamliligiga bevosita ta'sir qiladi. Avval Amerika firmalari Broadcom va Qorvo 5G filtrlari bozorlari va patentlarini de facto monopoliyalashgan. AIFU Semiconductor monokristallin alyuminiy nitridi (ScAlN) asosidagi o‘z texnologiyasini ishlab chiqish orqali ushbu to‘siqni yengib o‘tdi va xorijiy gigantlar tomonidan belgilangan polikristallin alyuminiy nitridiga bog‘liq patent cheklovlarini chetlab o‘tdi.
Sanoatda qo‘llaniladigan polikristallin alyuminiy nitriddan farqli o‘laroq, monokristallin alyuminiy nitrid yuqori piezoelektr xususiyatlar va akustik to‘lqinlarni uzatish samaradorligini ta'minlaydi, bu uni yuqori samarali BAW filtrlari uchun ideal materialga aylantiradi. Kompaniya Guangzhouda 8 dyuym o‘lchamli BAW chiplarni masshtabli ishlab chiqarish uchun dunyodagi birinchi ishlab chiqarish liniyasini qurdi. 2015 yilda AIFU Semiconductor oylik 500 000 birlik quvvatga ega 5G SABAR BAW pilot liniyasini ishga tushirdi. 2020 yilga kelib, u ishlab chiqarishni oylik 30 million birlikka kengaytirdi. Bugungi kunda kompaniya taxminan 100 ta chiplar modelini barqaror masshtabli ishlab chiqaradi.
Materiallardagi tizimli texnologik yutuqlar, chiplarni tayyorlash jarayonlarini soddalashtirish va xom ashyo bilan mamlakat ichida ta'minlanish tufayli kompaniya xorijiy muqobil larga nisbatan umumiy ishlab chiqarish xarajatlarini 30–40% ga kamaytirdi. Shu bilan birga, SABAR chiplari asosiy ishlash ko‘rsatkichlarida 20% dan ortiq yaxshilanishni namoyish etadi. Bir smartfon odatda turli chastota diapazonlarini qamrab oluvchi 30 dan ortiq filtrni talab qiladi va AIFU Semiconductor mahsuloti endi 10 GHz dan yuqori chastotalarni qo‘llab-quvvatlaydi. Kompaniya o‘zining patentlangan jarayonini qo‘llab-quvvatlash uchun taxminan 12 ta yarimo‘tkazgich uskuna to‘plamini modernizatsiya qildi, bunda ba'zi asosiy komponentlar mustaqil ishlab chiqilgan. Guangzhoudagi kompaniyaning 50 m² (3,3 gektar) bosh ofisi qurilish ishlarini yakunladi va toza xona jihozlash bosqichidan o‘tmoqda.
Mobil aloqadan tashqari, AIFU Semiconductor ning yuqori chastotali filtrlari sun'iy yo'ldosh interneti, Internet narsalari (IoT) va avtomobil aloqasida qo'llaniladi. Kompaniya robototexnikada keyingi o'sish chegarasini ko'rmoqda, chunki robotlar oldindan dasturlashtirilgan boshqaruvdan atrof-muhitni mustaqil idrok etishga o'tmoqda, bu esa simsiz signallar bilan intensiv o'zaro aloqani talab qiladi. Bundan tashqari, kompaniya o'zining SAMES sensorlarini sanoat tekshiruvi va avtomobil elektronikasining bozorlariga chiqarishni rejalashtirmoqda va joriy yilda daromadni ikki baravar oshirishni maqsad qilgan.
Huawei kengash aʼzosi va yarimo‘tkazgich biznesi prezidenti He Tingbo Tao's Law maqolasining ikkinchi versiyasini e'lon qildi, unda LogicFolding arxitekturasi batafsil tasvirlangan. Ushbu texnologiya Kirin chiplaridagi tranzistorlar zichligini sezilarli darajada oshirishga imkon beradi va 4 GHz dan yuqori soat chastotalariga erishish yo'lini ochadi.
Guancha.cn hisobotiga ko'ra, «Ko'p qatlamli elektron tizimlar uchun vaqt miqyoslash nazariyasi» nomli maqola Xitoy Fanlar akademiyasi ChinaXiv preprint platformasida 3-iyul kuni joylashtirildi. 2025 yildagi Kirin 9030 Pro asosiy modeliga qaraganda, LogicFoldingdan foydalanadigan Kirin 2026 yili chipi tranzistorlar zichligini mm² da 155 milliondan 238 milliongacha oshirdi, bu 53,5% ga teng o'sishni tashkil etadi. Bu taraqqiyot avval uch yillik geometrik miqyoslashni talab qilgan bo'lar edi.
LogicFolding raqamli, analog va xotira sxemalarini vertikal ravishda joylashtirilgan faol qatlamlarga ajratuvchi metodikadir. Bu ilg'or texnologik tugunlarga tayanmasdan zichlikni sezilarli darajada oshiradi. He Tingbo keyingi o'n yillik rivojlanish rejasini taqdim etib, muhim yo'llarni mahalliy ravishda egallashdan to'liq ko'p qatlamli egallashga o'tishni prognoz qildi, bunda har bir paket uch, to'rt yoki undan ortiq faol qatlamlarni o'z ichiga oladi.
Bu evolyutsion jarayon past haroratli gibrid ulanish bilan qo'llab-quvvatlanadi, bu esa qatlamlar orasidagi issiqlik byudjeti cheklovlarini zaiflashtiradi, shuningdek, vertikal silitsiyum ulanish nuqtalarini yuqori metall qatlamlardan M6 gacha pasaytirish orqali yuqori qatlamlar marshrutlash resurslarining 30% dan ortig'ini bo'shatadi. 2035 yilga qadar tranzistorlar zichligi mm² da 400 millionga va undan yuqoriga yetishi kutilmoqda.
LogicFolding yarimo‘tkazgichlarni miqyoslashdagi fundamental muammoni bevosita hal qiladi. Maqolada an'anaviy geometrik miqyoslash metriksining chegarasiga yetganligi ta'kidlanadi, chunki 2 nm tugunni ishlab chiqish byudjetlari chipga 1 milliard dollardan oshadi va tranzistorlar narxi pasayishni to'xtatdi. Tao's Law geometrik miqyoslashni vaqt miqyoslashiga almashtirishni taklif qiladi, o'n ikki gigantik tartib oralig'ida — pikosekundlardagi tranzistorlar almashtirish tezligidan tortib ma'lumotlar markazlari javob berish tezligigacha — birlashtirilgan tau vaqt doimiysi sifatida optimallashtirish maqsadini qo'llash orqali.
Ishlab chiqarish sharoitlarida ikkita validatsiya namunasi taqdim etildi. Mobil SoC da LogicFolding fiksatsiya qilingan texnologik tugunda tranzistorlar zichligini 55% bosqichma-bosqich oshirdi, shu bilan birga ekvivalent samaradorlikda energiya sarfini 41% ga kamaytirdi. Sun'iy intellekt tizimlari uchun, paket atrofidagi optik kirish/chiqish va chetdan sirtga 3D-egallash bilan birgalikda ishlab chiqilgan birlashtirilgan shina arxitekturasi 2035 yilga qadar apparat integratsiyasining 100 barobar ortishiga olib kelishi kutilmoqda.
He Tingbo jiddiy qiyinchiliklar mavjudligini tan olgan, jumladan vositalar va metodologiyalarni ishlab chiqish, plitadan plitaga jarayon o'zgarishlari va vertikal ulanishlar uchun qo'shimcha xarajatlar. Maqolada hech bir tashkilot bularni yolg'iz hal qila olmasligini ta'kidlab, ishni sanoat hisoboti va kengroq sanoat ishtirokini chaqiruv sifatida joylashtiradi. Shu bilan birga, tadqiqot 2020-yil may oyidan 2026-yil may oyigacha ishlab chiqarilgan 381 ta chipdan olingan saboqlar asosida amalga oshirilgan.
>
